三星存储芯片霸权动摇：QLC闪存缺陷致量产推迟，被SK海力士反超

【TechWeb】多年来，三星一直稳居全球最大DRAM内存和NAND闪存供应商宝座，然而近两年的发展却遭遇严峻挑战，市场份额和技术领先优势正逐渐流失。这一变化不仅反映了存储芯片行业的激烈竞争格局，也预示着全球存储市场可能迎来新一轮洗牌。

在DRAM内存领域，三星自DDR5时代开始就面临SK海力士的强劲挑战，特别是在高带宽内存(HBM)领域更是明显落后于竞争对手。这种技术差距直接导致三星连续两个季度被SK海力士超越，结束了其长达二三十年的内存市场领先地位，这一历史性转折标志着全球存储芯片市场格局的重大变化。

NAND闪存领域同样面临挑战。目前，行业领先厂商已普遍量产300层以上的TLC和QLC闪存，而三星却在关键产品上出现技术瓶颈。据最新消息，三星第九代V9闪存虽然早在去年4月就已实现280层堆栈的TLC闪存量产，核心容量达1Tb，但其QLC版本却在量产过程中暴露出严重质量缺陷，存在性能和延迟问题，导致全面量产至少推迟至2026年上半年。

更令人担忧的是，三星的旗舰级QLC闪存仍停留在V7代，V8代甚至没有推出QLC类型产品。这一技术断层在AI时代尤为致命，因为QLC闪存凭借更大容量和更低成本的优势，已成为AI计算基础设施的首选，市场需求甚至超过了传统TLC闪存。三星在这一关键产品上的技术失误，无疑将对其营收和市场份额造成重大冲击。

与此同时，竞争对手SK海力士已率先突破300层技术壁垒，8月份宣布量产321层QLC闪存，并实现了接口速度翻倍，写入性能提升56%，读取性能提升18%的显著优势。这一技术领先态势进一步加剧了三星的市场压力。

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