新材料有望大幅提升计算机存储芯片性能

铁电闪存芯片有望迅速提升设备的存储容量。

本报讯 用于存储数据的“闪存”芯片，如今占据着每年700亿美元的市场份额。同时，闪存也面临着许多与限制其他计算机芯片改进相同的微型化瓶颈。韩国三星先进技术研究院Duk-Hyun Choe团队近日报告了一种大幅降低铁电闪存能耗的方法，相关研究成果发表于《自然》。

Choe和同事们发现了一种名为铁电体的材料有望使数据密度再次实现指数级的提升。铁电体还能以更快的速度读写数据，且功耗仅为传统闪存的几分之一。

他们首先使用了一种带有电荷俘获功能的铁电存储单元，然后用铟镓锌氧化物取代了原有的硅导电通道。这种材料使他们的铁电器件功耗比传统技术降低了96%，同时仍然保持了高达10.5伏特的存储窗口。

美国乔治亚理工学院的电气工程师Asif Khan表示，仅在过去两年就出现了大约20种不同的芯片架构。韩国科学技术院的研究人员曾发布报告称，有证据表明这种器件足够耐用，可以保存数据长达10年，能够投入实际应用。它还可以让机器人拥有更快的反应速度，因为它可以为机器人提供所需的本地内存，无需等待连接到云端。（王铄）

相关论文信息：

https://doi.org/10.1038/s41586-025-09793-3

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