中国科学家造出三项全能铜箔,破解行业难题,手机电池芯片都将受益


来源:DeepTech深科技

铜箔 金属的薄片,由于其优良的导电性、 延展性等性能 用途广泛,包括智能手机、电脑等电子设备、家用电器、汽车和建筑等,是支撑我们日常生活的重要材料之一。

随着芯片越做越小、电池追求更长续航、设备朝着轻薄化升级,铜箔面临的要求也越来越苛刻。在实际使用中,铜箔不仅要承受卷绕、冲压、弯折等复杂力学压力,还必须同时满足三个指标: 强度够高、导电够好、热稳定性好 然而,传统铜箔难以同时兼顾高强度、高导电性和高热稳定性,成为相关产业发展的主要瓶颈。

近日,中国科学院金属研究所卢磊研究员团队与合作者在  Science  期刊发表成果,他们通过一种全新的梯度序构微观结构设计,成功研发出 兼具超高强度、高导电性与优异热稳定性的超级铜箔

卢磊 团队主要从事块体纳米结构金属材料的研究,包括样品制备、微观结构表征、结构稳定性、综合力学性能和理化性能。通过理解其结构性能关系,揭示纳米结构金属材料的强韧化机理。

这种超级铜箔的抗拉强度高达 900 兆帕,超越了传统铜箔的强度极限;同时,其导电性约为同等强度铜合金的三倍;研究指出,即使在室温下储存近半年,其性能也未出现任何退化。

长期以来,业界主要依靠电沉积工艺,利用有机添加剂来细化晶粒。根据著名的 Hall-Petch 效应 ,晶粒越小,材料强度越高。 然而,这一方法也带来了显著的副作用。晶界(晶粒之间的界面)数量激增,会严重散射电子,导致导电性大幅下降。更棘手的是,纳米晶粒在室温下极不稳定,容易发生自退火现象——晶粒自发长大,强度在短时间内迅速衰减,有时仅 24 小时就损失近一半。这不仅影响产品可靠性,还限制了铜箔在高端应用中的推广。

为了稳定结构,传统做法是加入铬、锆、镍等重金属元素进行合金化。但合金元素会进一步破坏铜基体的纯净度,使导电率断崖式下跌。

在这项研究中,研究团队 以全新的“梯度序构”微观结构设计为核心,利用工业通用的直流电沉积工艺,通过添加微量绿色有机添加剂, 在纯度高达 99.91%、厚度仅 10 微米的铜箔纳米晶粒基体上,原位构建出了无数个平均大小只有 3 纳米的超纳米畴(super-nano domains)。

这些纳米级别的微小结构并非均匀分布,而是沿铜箔厚度方向,呈现出周期性的交替梯度分布,少畴区保持传统纳米晶的特征,负责提供基础的导电通道和塑性空间;多畴区密集分布着大量的超纳米畴,负责锁死晶界、大幅提升强度。 这种被称为梯度超纳米畴(GSD)结构,就像是在铜箔的内部搭建了一套既坚固又通透的纳米级骨架。

图 | 

梯度超纳米畴微观结构表征

全面性能测试数据显示,这款梯度序构纳米畴铜箔实现了强度、导电、热稳定性的协同突破,彻底打破“不可能三角”定律。

在力学性能上, 最优样品 GSD-113 的抗拉强度高达 900 兆帕 ,远超常规铜箔 300-600 兆帕的强度极限,是普通纳米晶铜箔的 1.4 倍以上,在 10 微米超薄厚度下依旧保持良好塑性,延伸率约 3%,完全满足集成电路加工、锂电池卷绕的力学要求。

在导电性能上, 该铜箔导电率稳定保持在 90% IACS(国际退火铜标准) ,相较于同等强度水平的铜合金,导电能力提升约 2 倍,极低的电阻率可有效降低电子传输损耗、减少设备发热,适配高频高速信号传输与大电流快充场景。

在热稳定性上,该铜箔展现出前所未有的优异表现, 室温环境下放置 180 天(近半年),强度、导电率无任何衰减 ,经 150℃ 高温短时间退火后,微观结构无明显变化,晶粒不长大、性能不衰退,而传统纳米晶铜箔在室温放置 24 小时后,强度便损失 50%,导电率虽小幅上升却失去实用价值。

那么,这么小的纳米结构,到底是怎么让铜箔兼具超高强度、高导电性与优异的热稳定性的?

研究发现,在水平方向上,均匀分布在晶粒之间的纳米畴,能让铜箔受力时变形更均匀,不会出现局部应力集中而突然断裂,让高强度铜箔不再“脆”。在垂直方向上,疏密交替的梯度纳米畴,会诱导产生大量位错,在不牺牲导电的前提下进一步提升强度。同时,这些 3 纳米的微小畴区,和铜基体形成特殊的半共格界面,一方面像无数颗 “微型 铆钉 ”,把晶界牢牢固定住,不让晶粒随便长大,保证稳定性;另一方面,这种界面对电子的阻碍非常小,再加上杂质只集中在纳米畴里,铜基体依然很纯,导电性能自然不会下降。

这就相当于科学家在铜的内部,搭建了一套既加固、又通电、还稳定的纳米级骨架,既挡住了变形,又不耽误电子通行,还能长期保持结构不变。

研究员团队强调,这种梯度超纳米畴铜箔的制备采用的是直流电沉积工艺,这与目前全球铜箔生产的主流工业工艺完全兼容。这意味着,现有的铜箔生产线经过参数微调和添加剂优化,就有可能实现这种超级铜箔的量产。

从应用场景来看,这款超级铜箔的价值十分巨大。在集成电路领域,它可以作为高端芯片互连线、先进封装基板的关键导体,让芯片更小、算力更强、运行更稳定;在新能源领域,它作为锂电池负极集流体,能做得更薄,从而提升电池能量密度,同时兼具高导电和高稳定性,让新能源汽车充电更快、续航更长、使用更安全。

参考链接:

1. https://www.science.org/doi/10.1126/science.aed7758

2. http://www.imr.cas.cn/yjtd/leilu_team/

排版:胡莉花

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