HPB散热加持！三星HBM5预计2028年实现量产

快科技6月2日消息，据媒体报道，三星电子计划采用其自研的2nm工艺制造HBM5内存，预计2028年左右实现量产。

在散热技术方面，HPB（Heat Path Block）将成为HBM5中的核心热管理方案。具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内部的金属导热结构，通常以铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。

值得一提的是，作为技术验证的一环，三星此前已在Exynos 2600芯片中引入HPB技术，使该处理器的散热性能相比上代提升30%，也意味着这一散热技术具备进入移动处理器市场的潜力。

当前，AI基础设施对散热需求日益旺盛，多种热管理技术在存储领域竞相涌现。

5月26日，SK海力士推出了iHBM解决方案，通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，降低产品运行时的发热量。

该技术同样将应用于HBM5等下一代产品。SK海力士表示：“该技术与客户现有SiP系统级封装环境具有高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署。”

有分析机构指出，HBM5架构虽然能够以更高速度处理更大数据量，但也导致内部发热量急剧增加。特别是负责HBM与外部GPU之间超高速数据传输的D2D PHY（芯片间物理层），被认为是芯片内部的主要热源之一。

HPB与iHBM的共同特点在于，它们在D2D PHY区域内拥有独立的散热路径，从而改善热传导与散热效率，降低热阻并增强系统稳定性。

在散热技术集体升级的预期下，HBM市场或将维持供不应求的格局。根据TrendForce集邦咨询的最新研究，三大原厂的HBM年度议价机制，使得合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。

随着时序进入2026年第二季度，买卖双方已开始就2027年的主流产品HBM4供应展开谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM整体供不应求的市况，以及新旧世代HBM的高制造难度与高成本，三大原厂将于2027年大幅上调HBM报价。

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责任编辑：鹿角

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