台积电重新利用旧晶圆厂，将 EUV 薄膜生产引入内部

台积电正在重新利用其位于新竹科学园的旧的、已折旧的 8 英寸 Fab 3 来生产极紫外薄膜，并将这种生产引入内部。EUV 薄膜是一种薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止颗粒在 EUV 暴露期间接触掩模。它旨在承受强烈的 EUV 辐射和热应力，同时最大限度地减少光吸收和波前失真。

生产薄膜是一种缩短更换周期的方法，并对组件施加更多控制，在 EUV 环境中，该组件必须保护光掩模免受颗粒影响，同时应对极端暴露条件。与旧的 DUV 工艺不同，EUV 系统使用 400 W 光源和局部加热运行，掩模温度接近 1,000°C，这增加了污染风险，并使薄膜性能对晶圆产量的影响更大。

围绕薄膜的经济性鼓励了不同的方法。DUV 薄膜相对便宜，约为 600 美元，这使得它们能够在早期节点中广泛使用。然而，EUV 变体的价格接近 30,000 美元，这一阶梯式上涨阻止了一些芯片制造商全面部署，并可能导致有记录的产量差距。

通过内部化生产，台积电希望实现更低的单位成本和更可预测的供应，使薄膜集成在规模上可行。这一财务案例与材料研究齐头并进：碳纳米管膜是满足耐用性和光学透明度双重需求的最有希望的候选者。膜必须抵抗更强光源的加速降解，同时最大限度地减少会降低曝光效率的吸收。台积电计划在提高 N2 和 A16 工艺技术的同时验证解决方案，其中改进的薄膜性能可以显着提高产量并保持其在先进节点上的优势。

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